[发明专利]一种新型高密度安装TO-220型半导体封装在审
| 申请号： | 202110815087.8 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113451239A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 夏乾华;曾志敏 | 申请（专利权）人： | 鑫金微半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型高密度安装TO‑220型半导体封装结构，包括壳体、基岛框架、引脚，所述壳体上设置有通孔，该通孔设置在壳体的上端，所述壳体包括有胶体封装，所述壳体的胶体封装至少高于所述通孔中心点，所述基岛框架设置在壳体内,基岛金属框架背面金属露出以便散热,正面壳体呈台阶形式,靠近通孔位置的台阶处壳体较靠近引脚的壳体薄。本发明提供一种增大基岛框架胶体面积，在半导体封装有限空间面积内可以放置更多的元件或半导体晶圆,又利于产品工作时散热,同时方便用户锁螺丝紧固散热器的一种新型高密度安装TO‑220型半导体封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高密度 安装 to 220 半导体 封装 | ||
【主权项】：
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