[发明专利]一种新型高密度安装TO-220型半导体封装在审

申请号：	202110815087.8	申请日：	2021-07-19
公开（公告）号：	CN113451239A	公开（公告）日：	2021-09-28
发明（设计）人：	夏乾华;曾志敏	申请（专利权）人：	鑫金微半导体（深圳）有限公司
主分类号：	H01L23/31	分类号：	H01L23/31;H01L23/495;H01L23/04
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	518125 广东省深圳市宝***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种新型高密度安装 to 220 半导体封装
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【权利要求书】：

1.一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，包括壳体、基岛框架、引脚，所述壳体上设置有通孔，该通孔设置在壳体的上端，所述壳体包括有胶体封装，其特征在于：所述壳体的胶体封装至少高于所述通孔中心点，所述基岛框架设置在壳体内,基岛金属框架背面有金属露出,正面壳体呈台阶形式,靠近通孔位置的台阶处壳体较靠近引脚的壳体薄。

2.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：所述基岛框架上设置至少有一个内框架或绝缘垫片，在内框架或绝缘垫片上有放置电子元件或晶圆，在该金属框架基岛上还放置有半导体晶圆，所述金属基岛框架上的内框架和半导体晶圆在金属框架的同一平面上。

3.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：所述胶体封装整个壳体。

4.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：所述基岛框架一部分延伸出所述壳体。

5.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：所述引脚尺寸为TO-220型半导体封装的引脚尺寸。

6.根据权利要求5所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：所述引脚之间的间距典型值为2.54mm。

7.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：所述基岛框架为金属框架。

8.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：基岛金属框架正面放置晶圆或元件，背面金属外露出。

9.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：所述壳体的胶体封装至少高于所述通孔中心点。

10.根据权利要求1所述的一种新型高密度安装TO-220型半导体封装结构，其特征在于：正面壳体呈台阶形式,靠近通孔位置的台阶处壳体较靠近引脚的壳体薄。

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