[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110811776.1 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113659004A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 曾奕铭;梁文安;黄振铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底、一鳍状结构位于该基底上，该鳍状结构包含一第一部分以及一第二部分、一第一浅沟隔离位于该第一部分及该第二部分之间，并且具有一上凹表面、两第一介质层，分别沿着该第一部分及该第二部分的侧壁覆盖至邻接该上凹表面，以及一第一栅极结构位于该第一部分以及该第二部分之间。该栅极结构包括一第一高介电常数介电层，位于该两第一介质层上并且直接接触该上凹表面、一第一功函数金属层，位于该第一高介电常数金属层上，以及一第一低阻抗金属层，位于该第一功函数金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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