[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一凹槽内形成字线栅极结构；在所述第一面上形成若干位线，所述位线平行于第三方向，且沿第一方向排布，各条所述位线与若干有源区电连接；自所述第二面对所述衬底进行减薄处理，直到暴露出所述第一隔离层表面；所述减薄处理后，在所述各有源区内形成若干第二隔离层，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔离层位于相邻的所述字线栅极结构之间，且所述第二隔离层在沿所述第一方向上贯穿若干有源区；形成所述第二隔离层后，在所述第二面上形成若干电容，每个所述有源区与若干电容电连接，所形成的半导体结构，单位存储单元占据的面积较小，提高了芯片的集成化水平。