[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干沿第一方向排布的有源区和第一隔离层，所述第一隔离层位于相邻有源区之间，各有源区在所述第一面或所述第二面的投影图形为平行四边形，且所述平行四边形具有长边，所述长边方向平行于第二方向，所述第二方向与所述第一方向呈锐角夹角；

位于所述衬底内的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，所述若干第一凹槽沿第三方向排布，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干有源区，所述第三方向与所述第一方向相互垂直；

位于所述第一凹槽内的字线栅极结构；

位于所述第一面上的若干位线，所述位线平行于第三方向，且沿第一方向排布，各条所述位线与若干有源区电连接；

位于所述各有源区内的若干第二隔离层，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔离层位于相邻的所述字线栅极结构之间，且所述第二隔离层在沿所述第一方向上贯穿若干有源区；

位于第二面上的若干电容，每个所述有源区与若干电容电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述各有源区内的若干第三隔离层，所述第三隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，且所述第三隔离层沿所述第三方向贯穿所述有源区。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述有源区内的第一源漏区，所述第一源漏区自所述第一面向所述第二面延伸。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位线与所述第一源漏区电连接；所述位线和所述有源区之间还具有位线插塞。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第三隔离层两侧的所述有源区内的第二源漏区，所述第二源漏区自所述第二面向所述第一面延伸，一个所述电容与一个所述第二源漏区电连接。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容与所述第二源漏区电连接；所述电容和所述有源区之间还具有电容插塞。

7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干沿第一方向排布的有源区和第一隔离层，所述第一隔离层位于相邻有源区之间，各有源区在所述第一面或所述第二面的投影图形为平行四边形，且所述平行四边形具有长边，所述长边方向平行于第二方向，所述第二方向与所述第一方向呈锐角夹角；

在所述衬底内形成若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，所述若干第一凹槽沿第三方向排布，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干有源区，所述第三方向与所述第一方向相互垂直；

在所述第一凹槽内形成字线栅极结构；

在所述第一面上形成若干位线，所述位线平行于第三方向，且沿第一方向排布，各条所述位线与若干有源区电连接；

自所述第二面对所述衬底进行减薄处理，直到暴露出所述第一隔离层表面；

所述减薄处理后，在所述各有源区内形成若干第二隔离层，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔离层位于相邻的所述字线栅极结构之间，且所述第二隔离层在沿所述第一方向上贯穿若干有源区；

形成所述第二隔离层后，在所述第二面上形成若干电容，每个所述有源区与若干电容电连接。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理后，形成所述若干电容前，还包括：在所述各有源区内形成若干第三隔离层，所述第三隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，且所述第三隔离层沿所述第三方向贯穿所述有源区。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述若干位线的形成方法包括：所述减薄处理前，在所述第一面和所述字线栅极结构表面形成第一介质层；在所述第一介质层内形成若干第二凹槽，所述第二凹槽沿所述第三方向延伸，且一条所述第二凹槽暴露出若干所述有源区的部分表面；在所述第二凹槽内形成所述位线。