[发明专利]一种双重释应力的半导体模块及其制作方法在审
| 申请号： | 202110796800.9 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113659065A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘凌波;吴永庆 | 申请（专利权）人： | 杭州大和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/08;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 郑汝珍 |
| 地址： | 310051 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种双重释应力的半导体模块及其制作方法，包括上陶瓷基板和下陶瓷基板，所述上陶瓷基板和下陶瓷基板之间若干半导体元件，所述上陶瓷基板和半导体元件设有第一导流片，所述下陶瓷基板和半导体元件之间设有第二导流片，所述若干半导体元件通过第一导流片和第二导流片串联，所述上陶瓷基板和下陶瓷基板至少1个上设有若干横向切割槽和纵向切割槽，所述第一导流片和第二导流片设有若干凹槽，所述凹槽的方向与电流流向一致。本发明在高温情况或低温情况下有效降低热应力，同时在快速温度循环的情况下能降低热应力，在密集通电断电操作情况下也能降低热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双重 应力 半导体 模块 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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