[发明专利]一种双重释应力的半导体模块及其制作方法

权利要求书

1.一种双重释应力的半导体模块，其特征是，包括上陶瓷基板(1)和下陶瓷基板(5)，所述上陶瓷基板(1)和下陶瓷基板(5)之间若干半导体元件(3)，所述上陶瓷基板(1)和半导体元件(3)设有第一导流片(2)，所述下陶瓷基板(5)和半导体元件(3)之间设有第二导流片(4)，所述若干半导体元件(3)通过第一导流片(2)和第二导流片(4)串联，所述上陶瓷基板(1)和下陶瓷基板(5)至少1个上设有若干横向切割槽和纵向切割槽，所述第一导流片(2)和第二导流片(4)设有若干凹槽，所述凹槽的方向与电流流向一致。

2.根据权利要求1所述的一种双重释应力的半导体模块，其特征是，所述半导体元件(3)为P型半导体元件和N型半导体元件组成的电偶对。

3.根据权利要求1所述的一种双重释应力的半导体模块，其特征是，所述第一导流片(2)和第二导流片(4)均为铜电极片。

4.根据权利要求1所述的一种双重释应力的半导体模块，其特征是，所述横向切割槽和纵向切割槽的切割深度范围为上陶瓷基板(1)或下陶瓷基板(5)厚度的一半到上陶瓷基板(1)或下陶瓷基板(5)的厚度。

5.根据权利要求4所述的一种双重释应力的半导体模块，其特征是，当所述横向切割槽和纵向切割槽的切割深度为上陶瓷基板(1)或下陶瓷基板(5)的厚度时，所述上陶瓷基板(1)或下陶瓷基板(5)套设有紧固圈(6)。

6.根据权利要求5所述的一种双重释应力的半导体模块，其特征是，所述紧固圈(6)包括外圈和连接于外圈内侧的若干横向填充柱和纵向填充柱，所述外圈用于箍紧上陶瓷基板(1)或下陶瓷基板(5)四周，所述横向填充柱用于填充横向切割槽，所述纵向填充柱用于填充纵向切割槽。

7.根据权利要求6所述的一种双重释应力的半导体模块，其特征是，所述横向填充柱和纵向填充柱设有若干让位槽。

8.一种双重释应力的半导体模块的制作方法，适用于权利要求1所述的一种双重释应力的半导体模块，其特征是，包括以下步骤：

S1，将若干第一导流片(2)固定在上陶瓷基板(1)的一面，将若干第二导流片(4)固定在下陶瓷基板(5)，所述第一导流片(2)和第二导流片(4)的排布方式为使半导体元件(3)串联；

S2，对第一导流片(2)和第二导流片(4)进行切割，切割方向为电流流向，产生若干凹槽；

S3，通过焊锡的方式将半导体元件(3)和第一导流片(2)和第二导流片(4)固定；

S4，选择上陶瓷基板(1)或下陶瓷基板(5)中的任意一个或两个进行切割，切割出若干横向切割槽和纵向切割槽，或使其分割成若干块。