[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110790812.0 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113517233A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘浩 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供基底，所述基底中形成有浅槽隔离结构，浅槽隔离结构于基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；于基底上形成图形化掩膜结构；图形化掩膜结构包括自基底向上依次层叠的第一掩膜层及第二掩膜层；进行刻蚀工艺，以使第一掩膜层的侧壁内凹；基于图形化掩膜结构对基底进行图形化处理，以于基底内形成暴露出有源区的位线接触孔；于位线接触孔中形成位线接触结构。在形成构成位线接触结构的位线接触材料时，第一掩膜层的侧壁内凹延迟了位线接触材料在第一掩膜层位置的“封口”时间，使得位线接触材料(位线接触结构)中不会形成空洞或缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
