[发明专利]一种基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110789825.6 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113644132A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郭扬扬;石再莹 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件及其制造方法，衬底，位于所述衬底上的埋氧层；位于所述埋氧层上的P阱；位于所述P阱一侧的N型扩散区；分别位于所述P阱和所述N型扩散区两侧的第一、第二N型重掺杂区；所述第一N型重掺杂区、P阱、N型扩散区以及所述第二N型重掺杂区所排列的方向为横向；垂直于该横向的方向为纵向；所述P阱的纵向两侧分别设有第一、第二栅极。本发明利用双栅对沟道的控制，可增加沟道开启幅度，降低开启电压。结合SOI晶圆的优点，可降低器件与衬底之间的漏电，改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 晶圆双 栅极 dmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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