[发明专利]一种基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110789825.6 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113644132A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郭扬扬;石再莹 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 晶圆双 栅极 dmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件，其特征在于，至少包括：
衬底，位于所述衬底上的埋氧层；位于所述埋氧层上的P阱；位于所述P阱一侧的N型扩散区；分别位于所述P阱和所述N型扩散区两侧的第一、第二N型重掺杂区；所述第一N型重掺杂区、P阱、N型扩散区以及所述第二N型重掺杂区所排列的方向为横向；垂直于该横向的方向为纵向；所述P阱的纵向两侧分别设有第一、第二栅极。
2.根据权利要求1所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件，其特征在于：所述第一、第二栅极的一侧与所述P阱的一侧在纵向对齐。
3.根据权利要求1所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件，其特征在于：所述第一、第二栅极在横向的长度大于所述P阱在横向的长度。
4.根据权利要求1所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件，其特征在于：所述N型扩散区在纵向的宽度大于所述P阱在纵向的宽度。
5.根据权利要求1所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件，其特征在于：所述第一、第二栅极的材质为多晶硅。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件的制造方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供衬底，在所述衬底的浅区域形成埋氧层；
步骤二、在所述埋氧层上形成P阱和位于所述P阱横向一侧的N型扩散区；
步骤三、刻蚀所述衬底，在所述P型纵向两侧分别形成沟槽；
步骤四、形成覆盖所述P阱和所述沟槽侧壁及底部的栅氧层；
步骤五、在所述沟槽中分别形成第一、第二栅极；
步骤六、刻蚀所述衬底，在所述P阱和所述N型扩散区的两侧形成第一、第二N型重掺杂区。
7.根据权利要求5所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤五中的所述第一、第二栅极的一侧与所述P阱的一侧在纵向对齐。
8.根据权利要求7所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤五中的所述第一、第二栅极在横向的长度大于所述P阱在横向的长度。
9.根据权利要求5所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述N型扩散区在纵向的宽度大于所述P阱在纵向的宽度。
10.根据权利要求5所述的基于SOI晶圆双栅极的DMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤五中的所述第一、第二栅极的材质为多晶硅。
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