[发明专利]一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110788879.0 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113540386B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 俞娇仙 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 济南格源知识产权代理有限公司 37306 | 代理人： | 韩洪淼 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明采用不同类型的GaN半导体材料作为钙钛矿发光二极管的电子传输层。另外二维GaN量子尺寸效应明显，呈现较好的导电特性。随二维GaN层数的增加，对光的反射特性越来越好。多孔结构的GaN可以与钙钛矿材料充分接触，保证最大程度的光生电荷分离和电荷注入的发生。因此，GaN材料作为发光二极管的电子传输层能够提高器件的量子效率，是合适的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 半导体材料 作为 电子 传输 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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