[发明专利]一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110788879.0 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113540386B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 俞娇仙 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 济南格源知识产权代理有限公司 37306 | 代理人： | 韩洪淼 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 半导体材料 作为 电子 传输 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
（1）将致密的氧化镍薄膜从氧化镍靶材上采用磁控溅射法溅射到ITO导电玻璃上；
（2）在步骤（1）的NiO基底上采用浸泡旋涂法旋涂CH3NH3Br或CH3NH3I钙钛矿前驱体溶液，沉积结束后迅速转移至预热的加热台上使钙钛矿结晶制得CH3NH3Br、CH3NH3I钙钛矿光发射层；
（3）将GaN悬浊液以1500-3500 r/min的速度旋涂到钙钛矿层上，旋涂时间是20-40 s，静置一段时间使无水乙醇挥发，完成电子传输层的制备；
（4）通过电极蒸镀仪将金电极蒸镀到所述步骤（3）制备的电子传输层上，金电极厚度为80nm，获得GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中要提前在N,N-二甲基亚酰胺和二甲基亚砜混合溶液中制备CH3NH3PbBr3和CH3NH3PbI3溶液。
3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中旋涂速度是2000-5000 r/min，旋涂时间是40-80 s，在第30-50 s时滴加反溶剂氯苯。
4. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中加热台温度为80-120℃，保温时间40-80 min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中GaN电子传输层包括：GaN纳米多晶颗粒，GaN纳米单晶颗粒，二维GaN单晶片，多孔二维GaN单晶片中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中所述GaN悬浊液的制备方法，步骤为：将GaN材料溶解于无水乙醇中，然后超声处理，使其分散成GaN悬浊液。
7. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中旋涂速度是2000 r/min，旋涂时间是25s。
8.如权利要求1-7任一项所述制备方法获得的GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管。
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