[发明专利]镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针在审
| 申请号： | 202110787431.7 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113504394A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 杨晋玲;刘美杰;朱银芳;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01Q70/16 | 分类号： | G01Q70/16;G01Q60/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针，制备方法包括：在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜；形成针尖原胚结构和补偿结构；锐化针尖；背面各向异性深刻蚀体硅层；正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层；去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层，形成基座和悬臂梁；在针尖的表面镀膜，形成镀膜针尖，完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法，实现了探针的可靠制备，该方法操作简单、可靠；通过优化薄膜沉积条件，实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积，可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 探针 圆片级 制备 方法 | ||
【主权项】：
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