[发明专利]镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针在审
申请号: | 202110787431.7 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN113504394A | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 杨晋玲;刘美杰;朱银芳;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01Q70/16 | 分类号: | G01Q70/16;G01Q60/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 探针 圆片级 制备 方法 | ||
本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针,制备方法包括:在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜;形成针尖原胚结构和补偿结构;锐化针尖;背面各向异性深刻蚀体硅层;正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层;去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层,形成基座和悬臂梁;在针尖的表面镀膜,形成镀膜针尖,完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法,实现了探针的可靠制备,该方法操作简单、可靠;通过优化薄膜沉积条件,实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积,可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。
技术领域
本公开涉及原子力显微镜领域,尤其涉及一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针。
背景技术
扫描探针显微镜(SPM,Scanning Probe Microscope)是一系列用于表征表面形貌、热、力、电、磁、光学等性能的具有原子级分辨率的分析仪器统称,被广泛应用于纳米技术、材料科学、表面科学、生物工程、高密度数据存储等领域。
SPM利用扫描探针获取信号,因此,扫描探针在SPM系统中至关重要。扫描探针由基座、微悬臂梁和固定在微悬臂梁自由端的纳米针尖组成,其中,纳米针尖为扫描探针的关键部件。首先,为准确反映样品表面信息,提高扫描探针显微镜的灵敏度,应保证纳米针尖尽量尖锐;其次,为使扫描探针可以对样品电、磁等特殊性能参数进行表征,纳米针尖表面需要沉积不同的功能层。
目前,制备特殊功能扫描探针的技术多种多样,例如,通过电镀等方法制备金属针尖,再通过粘结等方法与微悬臂梁结构结合制备探针或者通过聚焦离子束刻蚀、碳纳米管(Carbon Nano Tubes,CNT)沉积等结合镀膜工艺,实现具有特殊功能探针的制备。
但是,上述方法只能实现单个探针的制备,无法实现探针的规模化制备,且制备成本较高。
发明内容
有鉴于此,本公开提供了一种镀膜探针的制备方法及镀膜探针,以期至少部分地解决上述提及的技术问题之一。
本公开的一个方面提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法,包括:
在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜;其中上述衬底自下而上依次包括体硅层、埋氧层和顶硅层;
以上述针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜为掩膜,刻蚀上述顶硅层,形成针尖原胚结构和补偿结构;
去除上述针尖图形掩膜和上述补偿结构图形掩膜,利用热氧化法锐化上述针尖原胚结构,形成针尖;
利用光刻技术刻蚀上述顶硅层至上述埋氧层;
在上述衬底的正面和上述衬底的背面形成正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层;
以上述背面深刻蚀掩膜层为掩膜,各向异性深刻蚀上述体硅层;其中,上述各向异性深刻蚀的刻蚀深度小于上述体硅层厚度;
以上述正面深刻蚀掩膜层为掩膜,刻蚀上述埋氧层的裸露区域及上述体硅层;
去除上述正面深刻蚀掩膜层、上述背面深刻蚀掩膜层和暴露的埋氧层;其中,带有上述针尖和上述补偿结构的顶硅层相对于上述体硅层和上述埋氧层悬空的部分作为悬臂梁;其中,上述衬底的除所述悬臂梁和所述针尖以外的其它部分构成基座。
在上述针尖的表面镀膜,形成镀膜针尖,完成镀膜探针的制备。
根据本公开的实施例,上述以上述针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜为掩膜,刻蚀上述顶硅层,形成针尖原胚结构和补偿结构的步骤中,采用各向同性干法刻蚀或各向异性湿法腐蚀;其中,上述刻蚀或腐蚀的深度大于10μm,且小于上述顶硅层的厚度。
根据本公开的实施例,上述利用上述热氧化法锐化上述针尖原胚结构的步骤中,热氧化温度包括900℃~1100℃。
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