[发明专利]接触插塞结构、半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110785317.0 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115602612A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 穆克军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种接触插塞结构、半导体结构及其制备方法，包括；提供衬底；于衬底的上表面形成介质层；形成接触孔，接触孔贯穿介质层，并延伸至衬底内；接触孔位于介质层内的部分记为第一部分，接触孔延伸至衬底内的部分记为第二部分；于接触孔的侧壁形成保护层；于接触孔的底部形成阻挡层，阻挡层完全覆盖接触孔的底部；阻挡层与保护层的刻蚀选择比小于1；去除保护层；于第二部分的侧壁形成金属硅化物层；于接触孔内形成导电层，导电层位于阻挡层上，且填满接触孔。该接触插塞结构、半导体结构及其制备方法通过形成阻挡层，将金属硅化物层与衬底分隔开，避免了由于接触孔的底部形成金属硅化物而导致的结漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
