[发明专利]接触插塞结构、半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种接触插塞结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

于所述衬底的上表面形成介质层；

形成接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层，并延伸至所述衬底内；所述接触孔位于所述介质层内的部分记为第一部分，所述接触孔延伸至所述衬底内的部分记为第二部分；

于所述接触孔的侧壁形成保护层；

于所述接触孔的底部形成阻挡层，所述阻挡层完全覆盖所述接触孔的底部；所述阻挡层与所述保护层的刻蚀选择比小于1；

去除所述保护层；

于所述第二部分的侧壁形成金属硅化物层；

于所述接触孔内形成导电层，所述导电层位于所述阻挡层上，且填满所述接触孔。

2.根据权利要求1所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述于所述接触孔的侧壁形成保护层包括：

于所述介质层的上表面、所述接触孔的底部及侧壁形成保护材料层；

去除位于所述介质层上表面以及所述接触孔底部的所述保护材料层，保留位于所述侧壁表面的所述保护材料层即为保护层。

3.根据权利要求2所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底且所述阻挡层包括二氧化硅层，或所述衬底包括锗衬底且所述阻挡层包括半导体氧化物层；以及

所述保护层包括氮化硅层和/或碳化硅层。

4.根据权利要求3所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述于所述接触孔的底部形成阻挡层包括：

采样热氧化工艺对所述硅衬底进行热氧化，以于所述接触孔底部形成所述阻挡层。

5.根据权利要求1所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第二部分的侧壁形成金属硅化物层包括：

于所述介质层的上表面、所述接触孔的侧壁及所述阻挡层的上表面形成金属层；

对所得结构进行退火处理，使得所述金属层与所述衬底反应，以于所述第二部分的侧壁形成所述金属硅化物层；

去除剩余的所述金属层。

6.根据权利要求5所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述金属层包括钛层和/或钴层；所述金属硅化物层包括硅化钴和/或硅化钛层。

7.一种接触插塞结构，其特征在于，所述接触插塞结构采用如权利要求1至6中任一项所述的接触插塞结构的制备方法制备而得到。

8.根据权利要求7所述的接触插塞结构，其特征在于，所述衬底包括硅衬底且所述阻挡层包括二氧化硅层，或所述衬底包括锗衬底且所述阻挡层包括半导体氧化物层。

9.根据权利要求7所述的接触插塞结构，其特征在于，所述金属硅化物层包括硅化钴层和/或硅化钛层。

10.根据权利要求9所述的接触插塞结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度包括1nm～2nm。

11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的接触插塞结构的制备方法的步骤；所述于所述衬底的上表面形成介质层的步骤之前，还包括如下步骤：

于所述衬底的上表面形成栅极结构；所述介质层覆盖所述栅极结构；

于所述衬底内形成源极及漏极，所述源极及漏极均位于所述衬底内，且分别位于栅极结构相对的两侧；

其中，所述接触孔延伸至所述源极内和/或所述漏极内。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的上表面形成栅极结构，包括如下步骤：

于所述衬底的上表面形成栅氧化层；

于所述栅氧化层的上表面形成栅极。