[发明专利]制作屏蔽栅沟槽器件的方法在审
| 申请号： | 202110779917.6 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113571419A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 覃源;高盼盼 | 申请（专利权）人： | 上海矽普半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制作屏蔽栅沟槽器件的方法。制作屏蔽栅沟槽器件的方法，依次包括如下步骤：步骤S1，提供一衬底，衬底外延层的有源区沟槽内生长有一源极侧壁介质层，源极侧壁介质层内沉淀有一源极多晶硅；步骤S2，对源极多晶硅进行回蚀刻；步骤S3，在源极多晶硅上生长热氧形成一层氧化物并去除部分源极侧壁介质层和氧化物，形成一氧化物介质热氧层；步骤S4，填充形成HDP氧化物，并去除上部HDP氧化物形成氧化物介质填充层。本发明通过改善工艺流程，使得沟槽临界开口的深宽比减少，在填充HDP后，避免出现填充空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 屏蔽 沟槽 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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