[发明专利]制作屏蔽栅沟槽器件的方法

权利要求书

1.一种制作屏蔽栅沟槽器件的方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

步骤S1，提供一衬底，所述衬底外延层的有源区沟槽内生长有一源极侧壁介质层，所述源极侧壁介质层内沉淀有一源极多晶硅；

步骤S2，对所述源极多晶硅进行回蚀刻；

步骤S3，在所述源极多晶硅上生长热氧形成一层氧化物并去除部分所述源极侧壁介质层和氧化物，形成一氧化物介质热氧层；

步骤S4，填充形成HDP氧化物，并去除上部HDP氧化物形成氧化物介质填充层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，对源极多晶硅进行回蚀刻，回蚀刻后所述有源区沟槽中心深度：所述源极多晶硅高度为100：48-100：65，优选为100：51-100：60，更优选为100：54.5。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤S3之前，对步骤S2回蚀刻后的所述源极多晶硅进行离子注入，以冲散源极多晶硅的晶格结构。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述离子注入为氩离子注入。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氩离子注入时的注入能量为20KeV-100KeV，优选注入能量为60KeV；

所述氩离子注入时的剂量为1E+12-5E+12，优选剂量为2E+12。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S3中，在所述源极多晶硅上生长热氧时消耗源极多晶硅，使所述有源区沟槽中心深度：所述源极多晶硅的高度为100：50。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，在所述源极多晶硅上生长热氧时，使用900℃-1050℃条件生长热氧，优选950℃条件生长热氧。

8.如权利要求1所述的HDP填充方法，其特征在于，步骤S3中，所述有源区沟槽中心深度：生长热氧所形成的一层氧化物的厚度为100：14.5-100：16.5，优选为100：15-100：16，更优选为100：15.4。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，所述源极侧壁介质层和所形成的所述氧化物介质热氧层高度齐平。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，所述有源区沟槽中心深度：氧化物介质热氧层的厚度为100：8-100：10，优选为100：8.5-100：9.5，更优选为100：9.1。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，采用刻蚀去除部分所述源极侧壁介质层和氧化物。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述刻蚀采用湿法刻蚀。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中，在所述有源区沟槽内填充高密度等离子体以形成HDP氧化物。

14.如权利要求1或13所述的方法，其特征在于，步骤S4中，所述有源区沟槽中心深度：所形成的氧化物介质填充层的厚度为100：22.7-100：43.1，优选为100：25-100：41，更优选为100：36.4。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤S4中，填充高密度等离子体的填充深宽比为1.0-1.9，优选为1.1-1.8，更优选为1.6。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤S4中，在所述有源区沟槽内填充高密度等离子体之前，先在所述有源区沟槽内先进行高密度等离子体衬垫层生长。