[发明专利]基于引线键合的TSV多应力可靠性试验芯片结构、装置有效
| 申请号： | 202110779646.4 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113471168B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 范政伟;陈循;刘泰成;蒋瑜;张书锋;汪亚顺 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于引线键合的TSV多应力可靠性试验芯片结构、装置，芯片结构，包括：硅衬底，硅衬底上阵列设置有多个贯通硅衬底上表面和下表面的TSV结构；顶部电极，位于硅衬底的上表面上，用于与TSV结构的顶部相连接；底部电极，位于硅衬底的下表面上，用于与TSV结构的底部相连接；硅衬底上顶部电极和底部电极分别选择性的与TSV结构的端部相连接形成菊花链互连结构或开尔文链互连结构。测试装置包括固定支撑板、测试电路板、多应力加载装置、信号采集装置等。本方案能够方便且全面地实现对实际的单个TSV或者多个TSV链路结构进行多应力加载，实现了通过试验手段科学全面且准确地评估TSV结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 引线 tsv 应力 可靠性 试验 芯片 结构 装置 | ||
【主权项】：
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