[发明专利]用于形成具有背面源极触点的三维存储器件的方法有效
| 申请号： | 202110775125.1 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113506809B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张坤;吴林春;周文犀;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/41;H10B41/50;H01L21/98;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次在衬底的第一侧的第二半导体层上方形成牺牲层并在该牺牲层上形成电介质堆叠层。形成穿过电介质堆叠层和牺牲层垂直延伸到第二半导体层中的沟道结构。用与第二半导体层接触的第一半导体层代替牺牲层。用存储器堆叠层代替电介质堆叠层，使得沟道结构穿过存储器堆叠层和第一半导体层垂直延伸到第二半导体层中。源极触点形成在衬底的与第一侧相对的第二侧，以与第二半导体层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 背面 触点 三维 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110775125.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
