[发明专利]半导体测试结构及其制造方法、测试方法在审
| 申请号： | 202110764829.9 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113611686A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈思;杨晓锋;付志伟;施宜军;王宏跃;周斌 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体测试结构及其制造方法、测试方法。半导体测试结构包括基底，包括半导体衬底以及介质层，所述基底内具有至少两个间隔设置的通孔；硅通孔结构，形成于所述通孔内；至少两个焊盘，分别位于所述硅通孔结构上，所述焊盘靠近所述基底的一侧与所述硅通孔结构相连接。通过设置两个硅通孔结构，从而利用一个硅通孔代替传统绝缘层测试结构中的导电材料层形成电容式测试结构。在制造该半导体测试结构时只需改变掩模板即可，不需要如传统测试结构中一样向衬底嵌入环绕着硅通孔的导电材料层。使用上述半导体测试结构对TSV绝缘层的可靠性进行测试时，制造整个测试结构所需的工艺步骤少，且结构简单、易于测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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