[发明专利]半导体测试结构及其制造方法、测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

基底，包括半导体衬底以及介质层，所述基底内具有至少两个间隔设置的通孔；

硅通孔结构，形成于所述通孔内；

至少两个焊盘，分别位于所述硅通孔结构上，所述焊盘靠近所述基底的一侧与所述硅通孔结构相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述硅通孔结构包括：

绝缘层，形成于所述通孔内壁表面；

阻挡层，形成于所述绝缘层表面上；

金属结构，位于所述阻挡层表面且填充于所述通孔内。

3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述焊盘的形状为圆形，且所述焊盘的直径与所述通孔的直径相同。

4.根据权利要求1或2所述的半导体测试结构，其特征在于，至少两个所述焊盘之间的间隔距离小于预设值。

5.一种半导体测试结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括半导体衬底以及介质层；

在所述基底内形成至少两个间隔设置的通孔；

在所述通孔内形成硅通孔结构；

在至少两个所述硅通孔结构上分别形成至少两个焊盘，所述焊盘靠近所述基底的一侧与所述硅通孔结构相连接。

6.根据权利要求5所述的半导体测试结构的制造方法，其特征在于，所述在所述通孔内形成硅通孔结构包括：

在所述通孔内壁表面形成绝缘层；

在所述绝缘层表面形成阻挡层；

在所述阻挡层表面形成金属结构，所述金属结构填满所述通孔。

7.根据权利要求6所述的半导体测试结构的制造方法，其特征在于，在所述阻挡层表面形成金属结构包括：

于所述介质层以及所述阻挡层表面形成金属种子材料层；

于所述金属种子材料层表面电镀形成金属材料层；

通过抛光工艺，去除所述通孔之外的金属种子材料层以及金属材料层，剩余的所述金属种子材料层构成金属种子层，剩余的所述金属材料层构成金属层，所述金属层与所述金属种子层构成金属结构。

8.一种半导体测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

将如权利要求1-4任意一项所述的半导体测试结构放置于测试台上，并将所述测试台的温度升高至预设温度；

将两个探针分别扎入所述半导体测试结构的两个焊盘上，一个探针施加电应力，另一个探针接地；

对所述半导体测试结构的漏电流数据进行实时采样；

根据所述漏电流数据判断所述半导体测试结构的绝缘层是否发生击穿；

根据所述半导体测试结构的绝缘层发生击穿时的电应力施加时长，分析所述半导体测试结构的寿命分布。

9.根据权利要求8所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，所述根据所述漏电流数据判断所述半导体测试结构的绝缘层是否发生击穿包括：

将实时获取的所述漏电流数据与初始时刻的所述漏电流数据进行比较；

当实时获取的所述漏电流数据大于初始时刻的所述漏电流数据的预设倍数时，判断所述半导体测试结构的绝缘层发生了击穿。

10.根据权利要求8所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，所述根据所述漏电流数据判断所述半导体测试结构的绝缘层是否发生击穿包括还包括：

当所述漏电流数据发生突变时，判断所述半导体测试结构的绝缘层发生了击穿。