[发明专利]高光效倒装LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110759670.1 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113555484B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;徐亮;李渊;孙慧卿;谭秀洋;夏凡;夏晓宇;马建铖;张淼 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高光萃取率的高光效倒装LED芯片及其制备方法，其包括由N型层、MQW量子阱层和P型层层叠的外延结构，第一开口沿外延结构的边缘布置，第二开口靠近其中心区域布置，第一和第二开口延伸至N型层，电流扩展层布置于P型层上，钝化绝缘层沿第一、第二开口和电流扩展层的表面布置，其中布置于电流扩展层表面的钝化绝缘层中设置有多个孔洞，孔洞暴露电流扩展层；金属反射层布置于P型层上方的钝化绝缘层上，钝化绝缘层包含多个层叠的钝化绝缘层子层，子层的折射率沿电流扩展层指向金属反射层的方向逐渐减小。本发明的芯片结构增大了入射角，光提取效率、芯片表面电流注入均匀性均得以提高，降低了电压、提高了亮度和光效。 | ||
| 搜索关键词： | 高光效 倒装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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