[发明专利]高光效倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.高光效倒装LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延层叠结构，设置于衬底上，其包括依次层叠的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，其中，沿该外延层叠结构的边缘位置布置有第一开口，靠近该外延层叠结构的中心区域布置有第二开口，第一开口和第二开口沿P型半导体层延伸至N型半导体层中一定深度；

电流扩展层，布置于P型半导体层上；

钝化绝缘层，沿第一开口、第二开口和电流扩展层的表面布置，其中布置于电流扩展层表面的钝化绝缘层中设置有多个均匀布置的钝化绝缘层孔洞，该孔洞暴露电流扩展层；

包括Ag镜金属层和Ag镜金属保护层的金属反射层，布置于P型半导体层上方的钝化绝缘层上，填充所述孔洞，所述Ag镜金属层靠近所述电流扩展层，所述钝化绝缘层的折射率介于电流扩展层与Ag镜金属层之间；

具有电极窗口的绝缘钝化层，布置于所述钝化绝缘层和金属反射层的表面；

其中，所述钝化绝缘层包含多个层叠的钝化绝缘层子层，所述钝化绝缘层子层的折射率沿所述电流扩展层指向所述金属反射层的方向逐渐减小；

还包括，布置于绝缘钝化层上的正焊盘电极，通过绝缘钝化层上的电极窗口与P型半导体层连接；布置于绝缘钝化层上的负焊盘电极，通过第二开口处的电极窗口与N型半导体层连接。

2.根据权利要求1的所述高光效倒装LED芯片，其特征在于，所述Ag镜金属保护层包括Ti、W、Al、Ni、Pt中的至少一种。

3.根据权利要求1或2的所述高光效倒装LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层选用GaN，所述N型半导体层选用GaN。

4.根据权利要求1或2的所述高光效倒装LED芯片，其特征在于，所述钝化绝缘层的厚度选用2000 Å~4000 Å。

5.高光效倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上依次外延生长N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层的外延层叠结构；

刻蚀所述外延层叠结构至N型半导体层中一定深度形成第一开口和第二开口，第一开口位于外延层叠结构的边缘位置，第二开口靠近外延层叠结构的中心区域；

在所述P型半导体层上沉积电流扩展层；

沉积钝化绝缘层，在电流扩展层上的钝化绝缘层表面形成多个孔洞暴露所述电流扩展层，所述孔洞均匀布置于所述电流扩展层的表面，所述钝化绝缘层包含多个层叠的钝化绝缘层子层；

在P型半导体层上的钝化绝缘层表面沉积包括Ag镜金属层和Ag镜金属保护层的金属反射层，所述Ag镜金属层靠近所述电流扩展层，所述钝化绝缘层的折射率介于电流扩展层与Ag镜金属层之间，所述钝化绝缘层子层的折射率沿所述电流扩展层指向所述金属反射层的方向减小；

沉积绝缘钝化层，刻蚀第二开口处的绝缘钝化层和钝化绝缘层暴露所述N型半导体层形成N电极窗口，刻蚀第一开口和第二开口之间的绝缘钝化层形成P电极窗口；

在P电极窗口和N电极窗口内淀积金属电极层形成正焊盘电极和负焊盘电极，所述正焊盘电极通过绝缘钝化层上的P电极窗口与P型半导体层连接，所述负焊盘电极通过绝缘钝化层上的N电极窗口与N型半导体层连接。

6.根据权利要求5的所述高光效倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，选用湿法蚀刻在钝化绝缘层的表面形成多个孔洞。