[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110756407.7 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115588691A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 黄靖文;黄伟豪;邱崇益;郭龙恩;廖琨垣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括基板及多个纳米线。基板具有一上表面。纳米线沿着第一方向堆叠于基板的上表面上。其中纳米线在一横截面中包括一三角形，纳米线包括沿着一第二方向延伸的一平面、在一(111)晶面上的一第一下斜刻面以及在另一(111)晶面上的一第二下斜刻面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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