[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板，具有上表面；以及

多个纳米线，沿着第一方向堆叠于该基板的该上表面上；

其中该些纳米线在横截面中包括三角形，该些纳米线包括沿着第二方向延伸的平面、在(111)晶面上的第一下斜刻面以及在另一(111)晶面上的第二下斜刻面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该平面与该第一下斜刻面之间的夹角的范围是介于54.5度至55度，且该平面与该第二下斜刻面之间的夹角的范围是介于54.5度至55度。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些纳米线中的至少2个纳米线是沿着该第二方向互相对称。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该基板及该些纳米线包括单晶半导体材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中沿着该第一方向堆叠的该些纳米线的数量为奇数。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中沿着该第一方向堆叠的该些纳米线中的最顶部纳米线及最底部纳米线在该横截面中为倒三角形。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供基板；

沿着第一方向在该基板上依序形成堆叠及硬掩模层，其中该堆叠包括交替堆叠的多个蚀刻停止层和多个半导体层；

移除部分的该基板、该堆叠及该硬掩模层以形成多个鳍状结构，其中每个鳍状结构包括基板部分、多个蚀刻停止部分、多个半导体部分和硬掩模部分；及

通过湿蚀刻制作工艺图案化该基板部分与该些半导体部分，以形成多个纳米线，其中该些纳米线沿着该第一方向堆叠于该基板的上表面上，并沿着第二方向延伸，在横截面中包括三角形。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该湿蚀刻制作工艺中使用的蚀刻剂包括四甲基氢氧化铵。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中在通过湿蚀刻制作工艺图案化该基板部分与该些半导体部分的该步骤中，没有间隔物形成在该基板部分与该些半导体部分的旁边。

10.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该些纳米线中的至少2个纳米线是沿着该第二方向互相对称。

11.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该些纳米线包括沿着该第二方向延伸的平面、在(111)晶面上的第一下斜刻面以及在另一(111)晶面上的第二下斜刻面。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中该平面与该第一下斜刻面之间的夹角的范围是介于54.5度至55度，且该平面与该第二下斜刻面之间的夹角的范围是介于54.5度至55度。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中该基板及该些纳米线包括单晶半导体材料。

14.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中沿着该第一方向堆叠的该些纳米线的数量为奇数。

15.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该些半导体层的数量为n，该些纳米线的数量为2n+1，n为正整数。

16.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中移除部分的该基板、该堆叠及该硬掩模层以形成多个鳍状结构的该步骤是通过干蚀刻制作工艺所进行。