[发明专利]量子点器件及其制备方法在审
申请号: | 202110756350.0 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN115589740A | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 丘洁龙 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/115 | 分类号: | H10K50/115;H10K50/165;H10K71/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种量子点器件及其制备方法,该量子点器件包括第一电极、第二电极以及设在所述第一电极和所述第二电极之间的叠层,所述叠层包括量子点层以及含有自由基捕获剂的电子传输层,所述量子点层靠近所述第一电极设置,所述电子传输层靠近所述第二电极设置,本发明通过在电子传输层中添加自由基捕获剂,可以有效地捕获量子点器件内部的羟基自由基,从而减少强氧化性自由基产生,抑制量子点材料配体的氧化,提升量子点器件的光电性能和寿命性能。 | ||
搜索关键词: | 量子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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