[发明专利]量子点器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极以及设在所述第一电极和所述第二电极之间的叠层，所述叠层包括量子点层以及含有自由基捕获剂的电子传输层，所述量子点层靠近所述第一电极设置，所述电子传输层靠近所述第二电极设置。

2.根据权利要求1所述的量子点器件，其特征在于，所述自由基捕获剂为2，2-二苯基-1-三硝基苯肼、对苯醌、四甲基苯醌、苯基-N-叔丁基硝酮中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的量子点器件，其特征在于，所述量子点层为蓝光量子点层。

4.根据权利要求1所述的量子点器件，其特征在于，所述量子点层的材料包括量子点，所述量子点选自：Ⅱ-Ⅵ族单组份量子点、核壳结构量子点及合金结构量子点中的至少一种；和/或

Ⅲ-Ⅴ族单组份量子点、核壳结构量子点及合金结构量子点中的至少一种；和/或

有机-无机杂化钙钛矿量子点及全无机钙钛矿量子点中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的量子点器件，其特征在于，所述量子点表面结合有配体，所述量子点表面的配体为有机酸、有机胺、有机膦以及硫醇中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的量子点器件，其特征在于，所述电子传输层还含有n型纳米金属氧化物，所述n型纳米金属氧化物与所述自由基捕获剂混合分散于所述电子传输层。

7.根据权利要求6所述的量子点器件，其特征在于，所述自由基捕获剂与所述n型纳米金属氧化物的质量比范围为1:(50～200)。

8.根据权利要求1所述的量子点器件，其特征在于，所述电子传输层由所述自由基捕获剂和n型纳米金属氧化物组成，所述n型纳米金属氧化物与所述自由基捕获剂混合分散于所述电子传输层，所述自由基捕获剂与所述n型纳米金属氧化物的质量比例范围为1:(50～200)。

9.根据权利要求1所述的量子点器件，其特征在于，所述电子传输层包括靠近所述量子点层的第一膜层及远离所述量子点层的第二膜层，其中，所述第一膜层的材料包括所述自由基捕获剂，所述第二膜层的材料包括n型纳米金属氧化物。

10.根据权利要求1所述的量子点器件，其特征在于，所述电子传输层包括靠近所述量子点层的第一膜层及远离所述量子点层的第二膜层，其中，所述第一膜层的材料由所述自由基捕获剂组成，所述第二膜层的材料由n型纳米金属氧化物组成，所述第一膜层的厚度为10nm至20nm，所述第二膜层的厚度为20nm至40nm。

11.一种量子点器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一电极上制备量子点层；

在所述量子点层上制备含有自由基捕获剂的电子传输层；

在所述电子传输层上制备第二电极，获得所述量子点器件；

或者，在第二电极上制备包含有自由基捕获剂的电子传输层；

在所述电子传输层上制备量子点层；

在所述量子点层上制备第一电极，获得所述量子点器件。

12.根据权利要求11所述的量子点器件的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点层上制备含有自由基捕获剂的电子传输层，包括：

利用溶液法，在所述量子点层上形成所述含有自由基捕获剂的电子传输层；

或者，所述在第二电极上制备包含有自由基捕获剂的电子传输层，包括：

利用溶液法，在所述第二电极上形成所述含有自由基捕获剂的电子传输层。