[发明专利]一种拼接生长金刚石单晶的方法有效
| 申请号： | 202110748142.6 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113463192B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王启亮;李红东;邹广田;吕宪义;成绍恒;刘钧松;高楠;李柳暗 | 申请（专利权）人： | 吉林大学;吉林大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04;C30B33/06;C23C14/35;C23C14/34;C23C14/18 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶，将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底，在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层，得到金刚石单晶材料，生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法，得到高质量的大面积金刚石单晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 拼接 生长 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
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