[发明专利]一种GaN器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110745865.0 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113284948B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋洋;唐楚滢;于洪宇;汪青;汤欣怡;杜方洲 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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