[发明专利]一种存储器件的制造方法及存储器在审
| 申请号： | 202110742958.8 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113629013A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 华文宇;刘藩东;丁潇 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 胡亮;张颖玲 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种存储器件的制造方法，包括：在晶圆上形成至少一个存储块；每一存储块，包括：阵列式分布的多个存储单元；存储单元包括：晶体管及存储电容，其中，存储电容与晶体管的源极连接；在晶圆上形成位线，且将位线与晶体管的漏极连接；其中，位线与存储电容分别位于晶圆沿厚度方向的相反面；沿晶圆的垂线，在晶圆上位线的上方形成外围电路，其中，外围电路至少包括：信号放大器；将位线与信号放大器形成电连接；信号放大器与位线的连接位置与位线中点之间的距离，小于位线中点与位线的任意一个端点之间的距离。如此，位线与存储电容位于晶圆的两侧，为信号放大器在位线上的连接位置提供充分的空间，连接的灵活性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 制造 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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