[发明专利]一种存储器件的制造方法及存储器

说明书

本申请实施例提供一种存储器件的制造方法，包括：在晶圆上形成至少一个存储块；每一存储块，包括：阵列式分布的多个存储单元；存储单元包括：晶体管及存储电容，其中，存储电容与晶体管的源极连接；在晶圆上形成位线，且将位线与晶体管的漏极连接；其中，位线与存储电容分别位于晶圆沿厚度方向的相反面；沿晶圆的垂线，在晶圆上位线的上方形成外围电路，其中，外围电路至少包括：信号放大器；将位线与信号放大器形成电连接；信号放大器与位线的连接位置与位线中点之间的距离，小于位线中点与位线的任意一个端点之间的距离。如此，位线与存储电容位于晶圆的两侧，为信号放大器在位线上的连接位置提供充分的空间，连接的灵活性更高。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器件的制造方法及存储器。

背景技术

在现有技术中，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的存储架构中，存储块和信号放大器(Sensing Amplifier，SA)处于同一个平面。如图1所示，信号放大器往往放置在两个存储块之间，信号放大器的两端分别连接分别位于相邻两个存储块的两条位线的端点。位线上方有紧密排布的存储电容，如果信号放大器与位线的连接位置位于位线上的非端点位置，则需要从位线的上方引出连接线，但位线上方紧密排布的存储电容导致不具备引线的空间。因此，现有的DRAM存储架构决定了信号放大器与位线的连接位置只能在位线的端点。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种存储器件的制造方法及存储器。

第一方面，本申请实施例提供一种存储器件的制造方法，包括：

在晶圆上形成至少一个存储块；每一所述存储块，包括：阵列式分布的多个存储单元；所述存储单元包括：晶体管及存储电容，其中，所述存储电容与所述晶体管的源极连接；

在所述晶圆上形成位线，且将所述位线与所述晶体管的漏极连接；其中，所述位线与所述存储电容分别位于所述晶圆沿厚度方向的相反面；

沿所述晶圆的垂线，在所述晶圆上所述位线的上方形成外围电路，其中，所述外围电路至少包括：信号放大器；

将所述位线与所述信号放大器形成电连接；

所述信号放大器与所述位线的连接位置与所述位线中点之间的距离，小于所述位线中点与所述位线的任意一个端点之间的距离。

进一步地，所述晶圆具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面分别位于所述晶圆沿厚度方向的相反面；

所述在晶圆上形成至少一个存储块，包括：

在晶圆上制作有源区；

在所述晶圆的第一表面上的有源区形成所述晶体管的栅极；

在所述晶圆的第一表面上的有源区形成所述晶体管的源极；

在所述晶圆的第一表面形成存储电容，且所述存储电容与所在存储单元中所述晶体管的源极连接；

在所述晶圆的第二表面上的有源区形成所述晶体管的漏极。

进一步地，所述在所述晶圆上形成位线，且将所述位线与所述晶体管的漏极连接，包括：

在所述晶圆的第二表面形成位线，且将所述位线与所述晶体管的漏极电连接。

进一步地，所述方法还包括：

在所述晶圆上依次形成所述存储块和所述位线后，在所述晶圆的第一表面形成字线，其中，所述字线与所述晶体管的栅极连接；

在所述晶圆的第一表面形成保护层。

进一步地，所述在所述晶圆上所述位线的上方形成外围电路，至少包括：