[发明专利]一种晶片表面处理方法及晶片在审
| 申请号： | 202110742806.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113517186A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 宁波;刘义芳;何磊 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶片表面处理方法及晶片，涉及半导体器件技术领域。用以解决现有的Cu‑Clip封装工艺难度高，焊接覆盖不全导致的晶圆表面电流流通截面积小、欧姆电阻较高的问题。该方法包括在位于晶片上表面的源极表面溅射两层种子层；在所述种子层的上表面上依次制备第三金属层和第四金属层；将所述晶片设置在框架上，通过回流焊的方式在所述第四金属层上焊接金属连接线；将完成焊接的所述框架进行塑封。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
