[发明专利]一种晶片表面处理方法及晶片在审
| 申请号： | 202110742806.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113517186A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 宁波;刘义芳;何磊 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 表面 处理 方法 | ||
1.一种晶片表面处理方法，其特征在于，包括：
在位于晶片上表面的源极表面溅射两层种子层；
在所述种子层的上表面上依次制备第三金属层和第四金属层；
将所述晶片设置在框架上，通过回流焊的方式在所述第四金属层上焊接金属连接线；
将完成焊接的所述框架进行塑封。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两层种子层分别为第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层为厚度为0.09～0.11微米的钛金属；
所述第二金属层为厚度为0.1～0.3微米的金属铜。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为0.1微米。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为0.2微米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述种子层的上表面上依次制备第三金属层和第四金属层，具体包括：
在所述源极表面上通过曝光显影方式制备待镀金属的图形，在所述待镀金属图形上依次电镀所述第三金属层和第四金属层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第三金属层为厚度1～10微米的金属铜，所述第四金属层为厚度为10～20微米的锡金属或者锡银合金。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过回流焊的方式在所述第四金属层上焊接金属连接线，具体包括：
通过回流焊的方式在所述第四金属层上焊接所述金属连接线，并在所述金属连接线的另一端焊接到源极框架。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属连接线为Cu-Clip。
9.一种晶片，其特征在于，包括：
晶片层；
源极金属层；
位于所述源极金属层上的源极处理层和所述源极两侧的钝化层；其中，所述源极处理层从下至上依次包括四层金属层。
10.如权利要求9所述的晶片，其特征在于，所述四层金属层分别为第一金属层，第二金属层，第三金属层和第四金属层；
所述第一金属层为厚度为0.09～0.11微米的钛金属；
所述第二金属层为厚度为0.1～0.3微米的金属铜；
所述第三金属层为厚度1～10微米的金属铜；
所述第四金属层为厚度为10～20微米的锡金属或者锡银合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
