[发明专利]半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台在审
申请号: | 202110732372.3 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113435048A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 杨天应;刘丽娟;林楹镇 | 申请(专利权)人: | 深圳市时代速信科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F30/17;G06F119/02;G06F119/08 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭浩辉;颜希文 |
地址: | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台,该方法包括:获取器件热阻值、器件环境温度及器件热功耗,根据所述器件热阻值、器件环境温度和器件热功耗计算器件结温;获取器件在老化前的管壳表面温度,根据所述管壳表面温度、器件结温和器件热功耗计算器件在老化前的管壳表面热阻值;获取器件在老化时的监控点温度,根据所述监控点温度、器件结温和器件热功耗计算器件在老化时的监控点热阻值;比较所述管壳表面热阻值与所述监控点热阻值得到比较结果,并根据所述比较结果调整测试条件。本发明可以有效地、准确控制器件老化结温从而实现准确评估半导体器件的高温运行寿命及器件平均运行寿命。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 寿命 评估 方法 装置 温度 检测 平台 | ||
【主权项】:
暂无信息
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