[发明专利]半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台

权利要求书

1.一种半导体器件的寿命评估方法，其特征在于，所述方法包括：

获取器件热阻值θc、器件环境温度Tc及器件热功耗Pdis，根据所述器件热阻值θc、所述器件环境温度Tc和所述器件热功耗Pdis计算器件结温Tj；

获取器件在老化前的管壳表面温度Tp，并采用所述管壳表面温度Tp、所述器件结温Tj和所述器件热功耗Pdis计算器件在老化前的管壳表面热阻值θp；

获取器件在老化时的监控点温度Tp’，并采用所述监控点温度Tp’、所述器件结温Tj和所述器件热功耗Pdis计算器件在老化时的监控点热阻值θp’；

比较所述管壳表面热阻值θp与所述监控点热阻值θp’得到比较结果，并根据所述比较结果调整测试条件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的寿命评估方法，其特征在于，所述器件结温按以下公式计算：

Tj＝Tc+θc*Pdis。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的寿命评估方法，其特征在于，所述管壳表面热阻值θp和所述监控点热阻值θp’分别按以下公式计算：

θp＝(Tj-Tp)/Pdis；

θp’＝(Tj-Tp’)/Pdis。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件的寿命评估方法，其特征在于，所述根据所述比较结果调整测试条件，包括：

若所述管壳表面热阻值θp与所述监控点热阻值θp’不同，调整与器件贴合的热沉的尺寸或热沉的散热系数；

若所述管壳表面热阻值θp与所述监控点热阻值θp’相同，保持当前测试条件。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的寿命评估方法，其特征在于，在所述调整与器件贴合的热沉的尺寸或热沉的散热系数的步骤后，所述方法还包括：

计算调整后的监控点热阻值θp’，并重复执行所述比较器件管壳表面热阻值θp与监控点热阻值θp’得到比较结果的步骤，直至所述管壳表面热阻值θp与所述监控点热阻值θp’相同。

6.一种半导体器件的寿命评估装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取器件热阻值θc、器件环境温度Tc及器件热功耗Pdis，根据所述器件热阻值θc、所述器件环境温度Tc和所述器件热功耗Pdis计算器件结温Tj；

表面热阻计算模块，用于获取器件在老化前的管壳表面温度Tp，并采用所述管壳表面温度Tp、所述器件结温Tj和所述器件热功耗Pdis计算器件在老化前的管壳表面热阻值θp；

监控热阻计算模块，用于获取器件在老化时的监控点温度Tp’，并采用所述监控点温度Tp’、所述器件结温Tj和所述器件热功耗Pdis计算器件在老化时的监控点热阻值θp’；

比较模块，用于比较所述管壳表面热阻值θp与所述监控点热阻值θp’得到比较结果，并根据所述比较结果调整测试条件。

7.一种半导体器件的温度检测平台，其特征在于，所述温控平台包括温控台体、热沉、管壳、第一测温热偶、第二测温热偶以及芯片；

所述热沉设置在所述温控台体上，所述管壳设置在所述热沉上，所述芯片封装在所述管壳内，所述第一测温热偶分别穿过所述温控台体和所述热沉与所述管壳的底部触碰，以检测所述半导体器件所处的环境温度，所述第二测温热偶设置在所述半导体器件的管壳的上表面，以检测所述半导体器件的管壳表面温度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的温度检测平台，其特征在于，所述温控台体设有控温装置。

9.一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-5任意一项所述的半导体器件的寿命评估方法。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1-5任意一项所述的半导体器件的寿命评估方法。