[发明专利]一种HEMT与阵列LED单片集成芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种HEMT与阵列LED单片集成芯片，包括HEMT区域及LED区域，HEMT区域包括高阻衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及HEMT电极层；LED区域包括至少两个阵列设置的LED单元及第一金属连接桥，第一金属连接桥的两端分别用于连接相邻的LED单元的N电极与P电极，以实现各LED单元的串联；HEMT区域的源电极通过第二金属连接桥与串联设置的首个LED单元的P电极相连，以实现HEMT区域与LED区域的电学导通。本发明简化驱动电路，并进一步地提升了集成芯片的驱动电压和光输出功率，降低了芯片的结电容，进而降低RC时间常数，可应用于更多对照明需求高的场景。