[发明专利]一种HEMT与阵列LED单片集成芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，包括HEMT区域及LED区域，所述HEMT区域包括从下到上依次排列分布的高阻衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及HEMT电极层，所述HEMT电极层包括源电极、漏电极及栅电极；所述LED区域包括至少两个阵列设置的LED单元及第一金属连接桥，所述LED单元包括高阻衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、i-GaN层、n型GaN层、N电极、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、P电极及保护层，所述第一金属连接桥的两端分别用于连接相邻的LED单元的N电极与P电极，以实现各LED单元的串联；所述HEMT区域的源电极通过第二金属连接桥与串联设置的首个LED单元的P电极相连，以实现HEMT区域与LED区域的电学导通。

2.根据权利要求1所述的HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，各所述LED单元的排布方式为线性排布。

3.根据权利要求1所述的HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，所述源电极与所述AlGaN势垒层为欧姆接触，所述源电极为Ti、Al、Ni、Au中的一种或者两种以上；所述漏电极与所述AlGaN势垒层为欧姆接触，所述漏电极为Ti、Al、Ni、Au中的一种或者两种以上；所述栅电极与所述AlGaN势垒层为肖特基接触，所述栅电极为Ni、Au中的一种或者两种。

4.根据权利要求1所述的HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，所述N电极的表面与所述n型GaN层为欧姆接触，所述N电极为Cr、Ti、Al、Au、Ag、Pt中的一种或者两种以上；所述P电极的表面与所述p型GaN层为欧姆接触，所述P电极为Cr、Ti、Al、Au、Ag、Pt中的一种或者两种以上。

5.根据权利要求4所述的HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，所述N电极的厚度为1μm-5μm；所述P电极的厚度为1μm-5μm。

6.根据权利要求1所述的HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，所述高阻衬底为高阻硅衬底，所述高阻硅衬底的厚度为500μm-1000μm；所述保护层为SiO₂钝化层，所述SiO₂钝化层的厚度为300nm-500nm。

7.根据权利要求1所述的HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，所述第一金属连接桥、第二金属连接桥均为Au。

8.根据权利要求1所述的HEMT与阵列LED单片集成芯片，其特征在于，所述HEMT区域与所述LED区域的面积比为1：2。