[发明专利]光电二极管和/或PIN二极管结构在审
| 申请号： | 202110725425.9 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113972297A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | M·D·莱维;E·W·基瓦拉;S·P·埃杜苏米利;J·J·埃利斯-莫纳甘 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;牛南辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及光电二极管和/或PIN二极管结构以及制造方法。该结构包括：螺旋鳍结构，其包括半导体衬底材料和电介质材料；光敏半导体材料，其位于螺旋鳍结构的侧壁和顶表面之上，光敏半导体材料被定位成捕获从侧向发射的入射光；掺杂的半导体材料，其位于光敏半导体材料上方；以及接触，其从半导体衬底材料和掺杂的半导体材料的顶表面电接触半导体衬底材料和掺杂的半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 pin 二极管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司，未经格芯（美国）集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110725425.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
