[发明专利]光电二极管和/或PIN二极管结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

螺旋鳍结构，其包括半导体衬底材料和电介质材料；

光敏半导体材料，其位于所述螺旋鳍结构的侧壁和顶表面之上，所述光敏半导体材料被定位成捕获从侧向发射的入射光；

掺杂的半导体材料，其位于所述光敏半导体材料上方；以及

接触，其从所述半导体衬底材料和所述掺杂的半导体材料的顶表面电接触所述半导体衬底材料和所述掺杂的半导体材料。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述光敏半导体材料为螺旋配置并且为与所述半导体衬底材料不同的本征材料。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述螺旋鳍结构的所述半导体衬底材料包括绝缘体上衬底(SOI)技术中的半导体材料，并且所述SOI技术中的绝缘体层位于所述光敏半导体材料下方。

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述电介质材料是位于所述螺旋鳍结构的主体内的浅沟槽隔离区域。

5.根据权利要求4所述的结构，还包括：与所述螺旋鳍结构邻近的浅沟槽隔离结构，其中，所述光敏半导体材料被位于所述螺旋鳍结构的所述主体内的所述浅沟槽隔离区域、所述浅沟槽隔离结构和所述SOI技术中的所述下伏的绝缘体材料围绕。

6.根据权利要求5所述的结构，其中，位于所述螺旋鳍结构的所述主体内的所述浅沟槽隔离区域、所述浅沟槽隔离结构和所述下伏的绝缘体材料包括反射材料。

7.根据权利要求6所述的结构，还包括：半导体衬里材料，所述半导体衬里材料加衬位于所述光敏半导体材料之下的所述螺旋鳍结构，其中：

所述半导体衬底材料是N型材料；

所述半导体衬里材料是P型材料；

所述光敏半导体材料是本征材料；以及

所述掺杂的半导体材料是P型材料。

8.根据权利要求1所述的结构，还包括：位于所述掺杂的半导体材料的所述顶表面和所述半导体衬底材料上的硅化物，其中，所述接触中的第一接触和第二接触与所述硅化物接触。

9.根据权利要求1所述的结构，其中，照明源是位于与所述光敏半导体材料相同的平面中的波导结构和光纤光学部件中的至少一者。

10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述波导结构是位于与所述光敏半导体材料相同的所述平面中的至少两个波导结构，所述至少两个波导结构中的每一个被耦合到多路分解器/分路器。

11.一种结构，包括：

螺旋鳍结构，其包括绝缘体上衬底(SOI)技术中的半导体衬底材料；

浅沟槽隔离区域，其位于所述螺旋鳍结构的主体内；

第一半导体材料，其加衬所述螺旋鳍结构的侧壁和顶表面；

光敏半导体材料，其位于所述第一半导体材料和所述SOI技术中的绝缘体层之上；

第二半导体材料，其位于所述光敏半导体材料上方；以及

接触，其电接触所述半导体衬底材料和所述第二半导体材料。

12.根据权利要求11所述的结构，其中，所述光敏半导体材料为螺旋配置并且为与所述半导体衬底材料不同的本征材料。

13.根据权利要求11所述的结构，还包括：与所述螺旋鳍结构邻近的浅沟槽隔离结构，其中，所述光敏半导体材料被位于所述螺旋鳍结构的所述主体内的所述浅沟槽隔离区域、所述浅沟槽隔离结构和所述SOI技术中的所述绝缘体层围绕。

14.根据权利要求13所述的结构，其中，位于所述螺旋鳍结构的所述主体内的所述浅沟槽隔离区域、所述浅沟槽隔离结构和所述下伏的绝缘体材料包括反射材料。