[发明专利]晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法在审
| 申请号： | 202110721471.1 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113540255A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋国璋;孙宏彰;杨子庆;赖昇志;江昱维;谢佑刚;杨丰诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 包括沟道层的晶体管及其制造方法，沟道层包括氧化物半导体材料。该晶体管包括沟道层，该沟道层包括具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层、具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层和具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层。第二氧化物半导体层位于第一半导体氧化物层和第三氧化物半导体层之间。第二氧浓度低于第一氧浓度和第三氧浓度。本发明的实施例还涉及形成氧化物半导体晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 氧化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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