[发明专利]晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法在审
| 申请号： | 202110721471.1 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113540255A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋国璋;孙宏彰;杨子庆;赖昇志;江昱维;谢佑刚;杨丰诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 氧化物 半导体 方法 | ||
1.一种晶体管，包括：
栅电极；
介电层；
源电极和漏电极；以及
沟道层，具有上表面、下表面与位于所述上表面和所述下表面之间的中间部分，其中，所述源电极和所述漏电极与所述沟道层的所述上表面电接触，并且所述沟道层具有靠近所述沟道层的所述上表面的第一载流子浓度和所述沟道层的所述中间部分中的第二载流子浓度，并且所述第一载流子浓度小于所述第二载流子浓度。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述沟道层具有靠近所述沟道层的所述下表面的第三载流子浓度，并且所述第三载流子浓度小于所述第二载流子浓度。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述沟道层包括：
第一氧化物半导体层，具有第一氧浓度；
第二氧化物半导体层，具有第二氧浓度；以及
第三氧化物半导体层，具有第三氧浓度，
其中，所述第二氧化物半导体层位于所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层之间；并且
其中，所述第二氧浓度低于所述第一氧浓度和所述第三氧浓度。
4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述第一氧浓度和所述第三氧浓度相等。
5.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述介电层与所述第一氧化物半导体层相邻，与所述第二氧化物半导体层相对，并且所述栅电极与所述介电层相邻，与所述第一氧化物半导体层相对。
6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述介电层包括选自由氧化铪(HfO2)、氧化铪硅(HfSiO)、氧化铪钽(HfTaO)、氧化铪钛(HfTiO)、氧化铪锆(HfZrO)、氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化铪-氧化铝(HfO2-Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、SiOx/SiNy/SiOx或铁电体组成的组。
7.根据权利要求3所述的晶体管，其中：
所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层包括InxGayZnzMO，其中，M选自由Ti、Al、Ag、Si、Sn和它们的组合组成的组，并且0(x、y、z)1；并且
所述源电极和所述漏电极包括导电金属材料。
8.根据权利要求7所述的晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层包括InxGayZnzMw的不同组分。
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