[发明专利]包含MIM电容的后端结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110718860.9 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113506769A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 杨宏旭;刘俊文;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种包含MIM电容的后端结构的形成方法，该MIM电容为台阶型，该MIM电容形成于第二层间介质中，第二层间介质形成于介质层上，介质层形成于第一层间介质上，第一层间介质中形成有金属连线，MIM电容的第二电极上方的层间介质的高度高于第一电极上方的层间介质的高度，第一电极上方的层间介质的高度高于金属连线上方的层间介质的高度，该方法包括：进行刻蚀，使第一目标区域的第一电极暴露，第二目标区域的第二电极暴露，第三目标区域的金属连线暴露，在第一目标区域形成第一通孔，在第二目标区域形成第二通孔，在第三目标区域形成第三通孔；形成金属层，金属层填充第一通孔、第二通孔和第三通孔；进行平坦化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 mim 电容 后端 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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