[发明专利]包含MIM电容的后端结构的形成方法

权利要求书

1.一种包含MIM电容的后端结构的形成方法，其特征在于，所述MIM电容为台阶型，所述MIM电容包括第一电极、电容介质和第二电极；

所述MIM电容形成于第二层间介质中，所述第二层间介质形成于介质层上，所述介质层形成于第一层间介质上，所述第一层间介质中形成有金属连线，所述第二电极上方的第二层间介质的高度高于所述第一电极上方的第二层间介质的高度，所述第一电极上方的第二层间介质的高度高于所述金属连线上方的第二层间介质的高度；

所述方法包括：

进行刻蚀，使第一目标区域的第一电极暴露，第二目标区域的第二电极暴露，第三目标区域的金属连线暴露，在所述第一目标区域形成第一通孔，在所述第二目标区域形成第二通孔，在所述第三目标区域形成第三通孔；

形成金属层，所述金属层填充所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔；

进行平坦化处理，所述第一通孔中的金属层形成第一接触通孔，所述第二通孔中的金属层形成第二接触通孔，所述第三通孔中的金属层形成第三接触通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极包括氮化钛层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电容介质包括氮化硅层。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第二层间介质包括氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电容介质包覆所述第二电极且隔离所述第一电极和第二电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述进行刻蚀之前，还包括：

在所述第一层间介质上形成所述介质层；

在所述介质层上形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上依次形成第一电极层、第一电容介质层和第二电极层；

刻蚀去除除所述第二电极所在区域外的其它区域的第二电极层和电容介质层，剩余的第二电极层形成所述第二电极；

沉积第二电容介质层；

刻蚀去除除所述电容介质所在区域外的其它区域的第一电容介质层、第二电容介质层和第一电极层，剩余的第一电容介质层和第二电容介质层形成所述电容介质，剩余的第一电极层形成所述第一电极；

沉积第二氧化层，所述第二氧化层和所述第一氧化层构成所述第一层间介质。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属层包括铜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属连线包括铜。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述介质层包括NDC。