[发明专利]一种功率模块的制造方法在审
| 申请号： | 202110715470.6 | 申请日： | 2021-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN113658871A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 卓延厚;郎岳 | 申请（专利权）人： | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京棘龙知识产权代理有限公司 11740 | 代理人： | 张开 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率模块的制造方法，包括以下步骤：S1：取一个碳化硅多孔体置于与其大小形状相适配的模型内，紧接着将加热熔融的铝或铝合金压入到该模型内，其中加热熔融的铝或铝合金由Al‑Si系合金构成，并以加压的状态进行冷却，冷却完成后，在碳化硅多孔体表面包覆规定厚度的包覆层，其中包覆层的厚度在80μm—100μm之间；S2：将S1中的碳化硅多孔体放置在切割装置上，对其进行切割加工。本发明设计合理，散热片和扩散层的设置，能够及时将工作过程中产生的热量有效的散出，且配合第一集成衬片和第二集成衬片的设置，能够进一步提高散热效果，降低功率模块工作过程中因温度过高造成的损坏风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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