[发明专利]一种高密度多模态神经微电极阵列及其制备与集成方法在审
| 申请号： | 202110711680.8 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113428832A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王明浩;樊晔;郭帮帮;程瑜华;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 325024 浙江省温州市龙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度多模态神经微电极阵列及其制备与集成方法。目前，大部分的高密度密西根微电极(单根100通道以上)都没有集成光刺激通道和微流体通道，而集成了光刺激通道或微流体通道的密西根微电极的电极点密度往往偏低。本发明拟采用一种基于微流体通道内“零线间距”布线的高密度多功能集成机制，实现微电极对神经环路进行高时空分辨率的记录与刺激。另一方面，为了提高神经微电极在体内长期植入的稳定性，本发明拟采用一种微流体给药和术后位置调整相结合的减轻胶质包覆的新机制，为实现微电极对光诱发神经信号进行长期高信噪比的记录提供理论基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 多模态 神经 微电极 阵列 及其 制备 集成 方法 | ||
【主权项】：
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