[发明专利]ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备及其在光电化学阴极保护中的应用有效
| 申请号： | 202110711625.9 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113443835B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;林逸昶 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;C23F13/14 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 高冰 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于光电化学阴极保护技术领域，具体涉及ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备及其在光电化学阴极保护中的应用，本发明首先利用醋酸锌经高温煅烧制备得到氧化锌晶种层，然后使氧化锌晶种层在无水氯化锌和乌洛托品的混合溶液经水热反应和高温煅烧制得ZnO薄膜，ZnO薄膜再于硝酸镉和硫代乙酰胺的混合溶液经水热反应和高温煅烧制得ZnO/CdO复合薄膜，最后ZnO/CdO复合薄膜经硒化制得ZnO/CdO/CdSe复合薄膜。该ZnO/CdO/CdSe复合薄膜可作为光阳极应用于光电化学阴极保护中，可以克服当前的光电化学阴极保护材料光利用率不够，光生电子空穴对分离效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | zno cdo cdse 复合 薄膜 制备 及其 光电 化学 阴极保护 中的 应用 | ||
【主权项】：
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