[发明专利]ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备及其在光电化学阴极保护中的应用有效
| 申请号: | 202110711625.9 | 申请日: | 2021-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN113443835B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
| 发明(设计)人: | 刘胜;林逸昶 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
| 主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C23F13/14 |
| 代理公司: | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人: | 高冰 |
| 地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | zno cdo cdse 复合 薄膜 制备 及其 光电 化学 阴极保护 中的 应用 | ||
1.一种ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将无水醋酸锌溶液滴涂在FTO导电玻璃上,烘干后置于300-500℃下退火1-2小时,制备得到氧化锌晶种层;
S2、将无水氯化锌和乌洛托品溶于水中制成混合溶液,所述无水氯化锌和乌洛托品的摩尔比为1:1,浓度均为0.03-0.05mol/L,然后将氧化锌晶种层置于上述混合溶液中,在110-130℃下反应3-5小时,最后转移到300-500℃下退火1-2小时,得到ZnO薄膜;
S3、配置硝酸镉和TAA的混合溶液,所述硝酸镉和TAA的摩尔浓度比为1:1,浓度均为0.03-0.06mol/L,然后将ZnO薄膜置于上述混合溶液中,在50-100℃下水热反应5-8小时,最后转移到400-500℃中煅烧2-3小时,得到ZnO/CdO复合薄膜;
S4、往pH=12-14的NaOH溶液中加入硼氢化钠,所述硼氢化钠的浓度为0.1-0.2g/1mL,溶解后再加入硒粉,制成浅黄色的含Se2-溶液,所述含Se2-溶液与pH=12的NaOH溶液的体积比为1:24,所述硒粉的浓度为0.01-0.05g/1mL,然后将含Se2-溶液与pH=12的NaOH溶液混合制得褐色的终溶液,最后将ZnO/CdO复合薄膜放于上述终溶液中,并在50-70℃下硒化1-3小时,制得ZnO/CdO/CdSe复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,滴涂-烘干过程重复5次,每次在1.5cm×2.5cm大小的FTO导电玻璃上滴涂100-200uL无水醋酸锌溶液。
3.根据权利要求1所述的一种ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述无水醋酸锌溶液的制备方法为:往20-40mL乙醇中加入0.1-0.2g无水醋酸锌,搅拌至澄清透明即得。
4.采用权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到的ZnO/CdO/CdSe复合薄膜。
5.权利要求4所述的ZnO/CdO/CdSe复合薄膜作为光阳极在光电化学阴极保护技术中的应用。
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