[发明专利]一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法有效
| 申请号： | 202110711268.6 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113300214B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;陈阳华;李洪雨 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/12 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器，其包括InP衬底，在InP衬底上依次沉积有缓冲层、光栅层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述欧姆接触层中Zn的掺杂浓度大于等于1E20cm‑3。激光器的激光器InGaAs欧姆接触层中Zn的掺杂浓度为1E20cm‑3以上，可大幅提升高速非制冷半导体激光器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 铝铟镓砷 分布 反馈 激光器 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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