[发明专利]一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法

权利要求书

1.一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法，其特征在于，其包括如步骤：

1）首先将InP基底放置在MOCVD设备中，以H₂为载气， TMIn、TMGa、TMAl、DeZn、SiH4、AsH3、 PH3、In、Zn、P和Sb为反应源气体，生长InP缓冲层、InGaAsP光栅层及InP覆盖层，生长完成后的外延片采用电子束曝光的方法，形成非对称相移光栅；

2）把带有光栅图形的外延片继续放入MOCVD设备中，依次生长InP掩埋层、AlGaInAs限制层、下波导层、量子阱、上波导层、AlGaInAs限制层、InGaAsP腐蚀阻挡层；

3）在InGaAsP腐蚀阻挡层上继续生长InP联接层，InGaAsP势垒过渡层和InGaAs接触层，在生长InP联接层末端时，在源气体中增加表面活性剂材料三乙基锑直到生长结束，使InGaAs欧姆接触层中Zn的掺杂浓度大于1E20cm-3。

2.根据权利要求1所述的高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法，其特征在于，在步骤3）中，当生长完InP联接层，开始生长InGaAsP势垒过渡层时，In和Zn的MO源关闭，P和Sb的源气体持续通入到MOCVD腔体。

3.根据权利要求1所述的高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法，其特征在于，步骤3）中InP联接层末端厚度占InP联接层总厚度三分一。

4.根据权利要求1所述的高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法，其特征在于，生长InGaAs欧姆接触层时，TESb有效量为25sccm。

5.根据权利要求1所述的高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法，其特征在于，在生长InP联接层末端时，在源气体中增加表面活性剂材料三乙基锑的有效量为10sccm。

6.根据权利要求1所述的高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法，其特征在于，InP掩埋层的生长步骤为：给MOCVD 系统反应室通入PH 3气体以保护外延片结构，让反应室升温至 530℃-570℃，然后在t 1时间段内往反应室通入TMIn反应源气体在光栅层上面生长InP掩埋层的形核层，接着在t 2时间段内关闭进入反应室的 TMIn反应源气体，给已生长IInP掩埋层的形核层中的原子迁移提供时间，稳定已生长 InP掩埋层的形核层，再接着在t 3时间段内往反应室通入TMIn反应源气体在已生长的InP掩埋层的形核层上继续生长InP掩埋层的基体层，再接着在t 4时间段内关闭进入反应室的TMIn反应源气体，稳定后面生长InP掩埋层的基体层，如此以t 1+t 2+t 3+t 4= t 5作为一个生长周期循环生长InP掩埋层将外延片上的光栅层掩埋平。